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元件参数资料
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参数目录33610
> PBSS5612PA,115 TRANSISTOR PNP 12V 6A SOT1061
型号:
PBSS5612PA,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANSISTOR PNP 12V 6A SOT1061
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
PBSS5612PA,115 PDF
特色产品
NXP - I2C Interface
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
6A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 300mA,6A
电流 - 集电极截止(最大)
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
190 @ 2A,2V
功率 - 最大
2.1W
频率 - 转换
60MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
3-HUSON
包装
标准包装
其它名称
568-6419-6
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